NXP Semiconductors
Новинка

Транзистор, N-channel FET, SMD, V-MOS, 60V 0,425A Тип корпуса: SOT223..
22.18 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel FET, SMD, V-MOS, LogL, 250V 0,35A Тип корпуса: SOT223..
22.18 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, P-channel FET, V-MOS, LogL, -250V -0,2A Тип корпуса: TO-92(SC43)..
22.18 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, PNP-darlington+ diode, SMD, High Current Amplifier, 80V 1A 1,25W Тип корпуса: SOT223..
27.52 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel FET, SMD, V-MOS, LogL, 240V 0,32A Тип корпуса: SOT223..
22.18 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, NPN-darlington+diode, S, 100V 1A 0,8W 350MHz B>2000 Тип корпуса: TO-92(SC43)..
12.12 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, P-channel FET, SMD, V-MOS, LogL, -50V -0,13A 19/30ns Тип корпуса: SOT23-3..
16.63 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, NPN, SMD, NF/S/Vid, 450V 1A >70MHz Тип корпуса: SOT89(SC-62)..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel FET, SMD, V-MOS, 100V 190mA Тип корпуса: SOT23-3..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Симистор, 600V 0,8A IGT>7mA Тип корпуса: TO-92(SC43)..
16.51 руб.ПМР
Новинка

Симистор, 4А 600В 10мА Тип корпуса: TO-220AB..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Симистор, 600V 4A IGT>35mA Тип корпуса: TO-252(DPak)..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Симистор, 600V 8A IGT>10mA Тип корпуса: TO-220AB..
16.51 руб.ПМР
Новинка

Симистор, 600V 8A Тип корпуса: TO-252(DPak)..
27.52 руб.ПМР
Новинка

Симистор, 600V 16A Igt/Ih..
27.52 руб.ПМР
Новинка

Симистор, 800V 16A IGT..
33.07 руб.ПМР
Новинка

Тиристор, 800V 25A 35mA Тип корпуса: TO-220AB..
44.01 руб.ПМР
Новинка

Тиристор, 500V 2,5A IGT..
27.52 руб.ПМР
Новинка

Тиристор, SMD, 600V 4A IGT..
60.59 руб.ПМР
Новинка

Тиристор, SMD, 600V 0,6A IGT..
27.52 руб.ПМР
Показано с 61 по 80 из 384 (всего 20 страниц)