Toshiba Semiconductor ( TOS )
GT50T301
Транзистор, IGBT, High Power Switching, 1500V 50A Тип корпуса: 2-21F1A(TO-264)_..
110.09 руб.ПМР
GT60M303
Транзистор, IGBT, High Power Switching, 900V 60A Тип корпуса: 2-21F1A(TO-264)_..
198.00 руб.ПМР
GT60N321
Транзистор, IGBT, High Power Switching, 1000V 60A Тип корпуса: 2-21F1A(TO-264)_..
220.18 руб.ПМР
GT80J101
Транзистор, IGBT, High Power Switching, 600V 80A Тип корпуса: 2-21F1A(TO-264)_..
357.59 руб.ПМР
K80E08K3 75V 80A
Транзистор, N-channel, MOS Type (U-MOSIV), Field Effect, 75V 80A 200W 7.5 m? Тип корпуса: TO-220AB..
60.59 руб.ПМР
MPSA93 ( A93 KSP94 )
Транзистор, PNP, Vid, 200V 0,5A 0,625W >50MHz Тип корпуса: TO-92(SC43)..
5.54 руб.ПМР
NTMD3N08LR2 smd 80V 2,3A / 80V 2,3A ( 3N08 )
Транзисторная сборка, N/N-channel FET Enhancement, SMD, V-MOS, 80V 2,3A / 80V 2,3A 215 m? VGS = 5 ..
159.59 руб.ПМР
RJP63G4DPE smd
Транзистор, IGBT, SMD, High Speed Power Switching, 630V 40A Тип корпуса: TO-263(D2Pak)_..
29.70 руб.ПМР
RN1401 smd ( XA )
Транзистор, NPN-integrated resistor, S, Rb=4,7k Rbe=4,7k, 50V 0,1A 0,4W Тип корпуса: SOT23-3..
5.50 руб.ПМР
RN1402 smd ( XB )
Транзистор, NPN-integrated resistor, S, Rb=10k Rbe=10k, 50V 0,1A 0,4W Тип корпуса: SOT23-3..
5.50 руб.ПМР
RN1403 smd ( XC )
Транзистор, NPN-integrated resistor, S, Rb=22k Rbe=22k, 50V 0,1A 0,4W Тип корпуса: SOT23-3..
5.50 руб.ПМР
RN1404 smd ( XD )
Транзистор, NPN-integrated resistor, S, Rb=47k Rbe=47k, 50V 0,1A 0,4W Тип корпуса: SOT23-3..
5.50 руб.ПМР
RN1405 smd ( XE )
Транзистор, NPN-integrated resistor, S, Rb=2,2k, Rbe=47k, 50V 0,1A 0,4W Тип корпуса: SOT23-3..
5.50 руб.ПМР










