Hitachi Semiconductor
2SD1466 ( D1466 )
Транзистор, NPN-darlington+diode, S-L, 500V 15A 100W B>200 Тип корпуса: TO-3P(N)..
82.37 руб.ПМР
2SD1521 ( D1521 )
Транзистор, NPN-darlington+diode, Z-Diode, 50V 1,5A 10W B>2000 Тип корпуса: TO-126(TO-225AA)_..
27.52 руб.ПМР
2SD468 ( D468 )
Транзистор, NPN, Uni, 25V 1A 0,9W 190MHz Тип корпуса: TO-92mod(2-5J1A)..
4.41 руб.ПМР
2SD600K ( D600K )
Транзистор, NPN, NF/S-L, lo-sat, 100V 1A 8WКомплементарная пара 2SB631K Тип корпуса: TO-126(TO-225AA..
38.51 руб.ПМР
2SD667A ( D667 )
Транзистор, NPN, Uni, 120V 1A 0,9W 140MHz Тип корпуса: TO-92mod(2-5J1A)..
4.41 руб.ПМР
2SD669A ( D669A D699AC )
Транзистор, NPN, NF/S/Vid-L, 180V 1,5A 20W 140MHz Тип корпуса: TO-126(TO-225AA)_..
7.72 руб.ПМР
2SD756A ( D756A )
Транзистор, NPN, Uni, 140V 0,05A 0,75W 350MHz Тип корпуса: TO-92mod(2-5J1A)..
8.26 руб.ПМР
2SD768 ( D768 )
Транзистор, NPN-darlington+diode, NF/S-L, 120V 6A 40W B>1000 Тип корпуса: TO-220AB..
37.62 руб.ПМР
2SJ162 ( J162 )
Транзистор, P-channel FET w. diode, V-MOS, -160V -7A 100W Тип корпуса: TO-3P(N)..
110.09 руб.ПМР
2SJ176 ( J176 )
Транзистор, P-channel FET w. diode, V-MOS, LogL, -60V -15A 30W 0,13 Om Тип корпуса: TO-220F..
16.63 руб.ПМР
2SJ352 ( J352 )
Транзистор, Silicon P-Channel MOS FET, -200V -8A 100W Тип корпуса: TO-3P(N)..
110.09 руб.ПМР
2SJ48
Транзистор, P-channel, V-MOS, -100V -7A 100W 1,7 Om Тип корпуса: TO-3(TO-204AA)..
121.18 руб.ПМР
2SJ78 ( J78 )
Транзистор, P-channel FET w. diode, V-MOS, -180V -0,5A 30W 10 Om Тип корпуса: TO-220AB..
182.16 руб.ПМР
2SK1058 ( K1058 ) GDS
Транзистор, N-channel FET with diode, V-MOS, 160V 7A 100WРасположение выводов G D S Тип корпуса: TO..
110.09 руб.ПМР
2SK1058 ( K1058 ) GSD
Транзистор, N-channel FET with diode, V-MOS, 160V 7A 100WРасположение выводов G S D Тип корпуса: TO..
198.00 руб.ПМР