Mitsubishi Electric Semiconductor ( MIT )
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS25..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS25..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS25..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS21..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS21..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS21..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS21..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: MOD1..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS21..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Интеллектуальный силовой модуль управления. Тип корпуса: PS21..
396.00 руб.ПМР
Новинка

Микросхема, формирователь импульса Тип корпуса: TO-92(SC43)..
33.07 руб.ПМР
Новинка

Модульный усилитель мощности высокой частоты на диапазон 400...470МГц Тип корпуса: H46S..
550.04 руб.ПМР
Новинка

Усилитель ВЧ 520МГц 30Вт 12.5В Тип корпуса: MOD2..
742.50 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel, SMD, Power MOS FET,VHF/UHF RF, 30V 0,6A 3,6W 520MHz Тип корпуса: SOT89(SC-62..
49.50 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel, Power MOS FET, 50V 3A 6W 30MHz Тип корпуса: TO-220AB..
198.00 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel, Power MOS FET, 50V 3A 6W 175MHz Тип корпуса: TO-220AB..
154.04 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel, SMD, RF Power MOS FET, 30V 3A 175MHz - 520MHz 7W Тип корпуса: QFN12a..
297.00 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel, Power MOS FET, 30V 4A 175MHz - 520MHz 15W Тип корпуса: TO-220AB..
159.59 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel, Power MOS FET, 50V 5A 30MHz 16W Тип корпуса: TO-220AB..
82.57 руб.ПМР
Новинка

Модуль инверторного кондиционера Тип корпуса: SPM27-BA..
297.00 руб.ПМР
Показано с 141 по 160 из 162 (всего 9 страниц)