Infineon Technologies AG
BUZ110SL smd
Транзистор, N-channel FET, V-MOS,LogL, 55V 80A 200W Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..
82.57 руб.ПМР
BUZ111S smd
Транзистор, N-channel FET, SMD, V-MOS,LogL, 55V 80A 300W Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..
121.18 руб.ПМР
BUZ305
Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 800V 7,5A 150W 1 Om Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..
198.00 руб.ПМР
G20H603 smd 600V 20A ( IGP20N60H3 )
Транзистор, IGBT, High speed switching series third generation, 600V 20A Тип корпуса: TO-263..
60.59 руб.ПМР
H30R1602 1600V 30A
Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1600V 30A Тип корпуса: TO-247A..
121.18 руб.ПМР
HAA2018A smd
Микросхема, одноканальный усилитель мощности звука 5 Вт Тип корпуса: SO8-150..
59.40 руб.ПМР
HAA2820 smd ( AA2820 )
Микросхема, одноканальный усилитель мощности звука с емкостным усилением и защитой от потрескивания,..
69.30 руб.ПМР
HAA9103 smd
Микросхема, одноканальный усилитель мощности звука 5,3 Вт с FM , переключаемым классом AB/D с защито..
59.40 руб.ПМР
HAA9809 smd
Микросхема, AB/D аудио усилитель звука чип с функцией защиты от перерыва.Выходная мощность класса D:..
66.13 руб.ПМР
HGTG20N60C3D ( G20N60C3D )
Транзистор, IGBT, UFS Series N-Channel with Anti-Parallel Hyperfast Diode 600V 45A Тип корпуса: TO-2..
104.94 руб.ПМР











