Infineon Technologies AG

Сравнение товаров (0)

Сортировка:

Показать:

BUZ110SL smd

Транзистор, N-channel FET, V-MOS,LogL, 55V 80A 200W Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..

82.57 руб.ПМР

BUZ111S smd

Транзистор, N-channel FET, SMD, V-MOS,LogL, 55V 80A 300W Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..

121.18 руб.ПМР

BUZ111SL

Транзистор, N-channel FET,V-MOS,LogL, 55V 80A 300W Тип корпуса: TO-220AB..

55.04 руб.ПМР

BUZ305

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 800V 7,5A 150W 1 Om Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..

198.00 руб.ПМР

BUZ310

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 1000V 2,5A 75W 5 Om Тип корпуса: TO-218..

198.00 руб.ПМР

BUZ71A

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 50V 16A 40W 0,12 Om Тип корпуса: TO-220AB..

16.63 руб.ПМР

BUZ90A

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 600V 4A 75W 2 Om Тип корпуса: TO-220AB..

16.63 руб.ПМР

BUZ91A

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 600V 8A 150W 0,9 Om Тип корпуса: TO-220AB..

16.63 руб.ПМР

DAP003 smd

Микросхема, Тип корпуса: SO16..

118.80 руб.ПМР

DDA010

Микросхема, ШИМ контроллер Тип корпуса: DIP8-300..

73.26 руб.ПМР

FP10R12W1T4

IGBT Modules N-CH 1.2KV 20A..

605.09 руб.ПМР

G20H603 smd 600V 20A ( IGP20N60H3 )

Транзистор, IGBT, High speed switching series third generation, 600V 20A Тип корпуса: TO-263..

60.59 руб.ПМР

H30R1602 1600V 30A

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1600V 30A Тип корпуса: TO-247A..

121.18 руб.ПМР

HAA2018A smd

Микросхема, одноканальный усилитель мощности звука 5 Вт Тип корпуса: SO8-150..

59.40 руб.ПМР

HAA2820 smd ( AA2820 )

Микросхема, одноканальный усилитель мощности звука с емкостным усилением и защитой от потрескивания,..

69.30 руб.ПМР

HAA9103 smd

Микросхема, одноканальный усилитель мощности звука 5,3 Вт с FM , переключаемым классом AB/D с защито..

59.40 руб.ПМР

HAA9802 smd

Микросхема, усилитель звука 5.4Вт Тип корпуса: ESOP10L..

59.40 руб.ПМР

HAA9809 smd

Микросхема, AB/D аудио усилитель звука чип с функцией защиты от перерыва.Выходная мощность класса D:..

66.13 руб.ПМР

HAA9811 smd

Микросхема, усилитель звука 6.5Вт Тип корпуса: ESOP10L..

59.40 руб.ПМР

HGTG20N60C3D ( G20N60C3D )

Транзистор, IGBT, UFS Series N-Channel with Anti-Parallel Hyperfast Diode 600V 45A Тип корпуса: TO-2..

104.94 руб.ПМР

Показано с 181 по 200 из 441 (всего 23 страниц)