Infineon Technologies AG
K40T1202 ( IKW40N120T2 )
Транзистор, IGBT, generation TrenchStop with diode, 1200V 40A 480W Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..
297.00 руб.ПМР
MDP16R-DC smd
Микросхема, драйвер MOSFET с широким диапазоном рабочего напряжения от 4,5 В до 18 В. Тип корпуса: S..
198.00 руб.ПМР
OF4199 smd
Диод с переменной емкостью, варикапВарикап OF4199 smd Тип корпуса: SOD323(SC79)_..
3.96 руб.ПМР
OS2614353 smd
Микросхема, высокопроизводительный двойной операционный усилитель, предназначенный для использования..
110.09 руб.ПМР
PMB6819 smd ( 6819 )
Микросхема, low cost Silicon device with integrated system functions Тип корпуса: MSOP10..
99.00 руб.ПМР
SAK-C167CR-LM-GA-T smd
Микросхема, 16-Bit Single-Chip микроконтроллер- Семейство: C166- Разрядность ядра: 16 бит- Тактовая ..
495.00 руб.ПМР
SD20N60
Транзистор, N-channel FET, V-MOS,Super FETT, 600V 20A 208W 0,15 Om Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..
82.57 руб.ПМР
SFH6136
Оптопара с транзистором на выходе, 1 канал, 25 мА, 5.3 кВ, 19 % Тип корпуса: DIP8-300o..
29.70 руб.ПМР
SGB07N120 smd ( GB07N120 )
Транзистор, IGBT, MOS technology, L, 1200V 8A 125W Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..
110.09 руб.ПМР
SGB10N60A smd ( G10N60A )
Транзистор, IGBT, SMD, High Speed in NPT-technology, 600V 10A 138W Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..
22.18 руб.ПМР
SGB15N60HS smd ( G15N60HS )
Транзистор, IGBT, SMD, High Speed in NPT-technology, 600V 15A 138W Тип корпуса: TO-263(D2Pak)_..
39.60 руб.ПМР
SGW20N60 ( 20N60 )
Транзистор, IGBT in NPT-technology , 600V 20A 179W Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..
60.59 руб.ПМР
SGW20N60HS ( G20N60HS )
Транзистор, IGBT in NPT-technology , 600V 20A 178W Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..
110.09 руб.ПМР
SGW30N60 ( 30N60 )
Транзистор, IGBT in NPT-technology 600V 30A 250W Тип корпуса: TO-3P(N)..
99.00 руб.ПМР
SGW50N60HS ( G50N60HS )
Транзистор, IGBT, High Speed IGBT in NPT-technology, 600V 50A 416W Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..
198.00 руб.ПМР











