Россия
КТ361Г
Транзисторы КТ361 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для ..
1.19 руб.ПМР
КТ361Д
Транзисторы КТ361 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для ..
1.19 руб.ПМР
КТ361И
Транзисторы КТ361 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для ..
1.19 руб.ПМР
КТ503Е
КТ503ЕТранзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мо..
2.22 руб.ПМР
КТ608А
КТ608АТранзисторы КТ608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназ..
39.60 руб.ПМР
КТ645В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные.Пр..
5.94 руб.ПМР
КТ646А
Транзисторы КТ646А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольт..
5.94 руб.ПМР
КТ801Б
Транзистор, Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо м..
7.92 руб.ПМР
КТ803А
Основные технические характеристики транзистора КТ803А:• Структура транзистора: n-p-n;• Рк т max - П..
49.50 руб.ПМР
КТ805ИМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения ..
7.92 руб.ПМР
КТ807А
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 ..
11.09 руб.ПМР
КТ807Б
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 ..
11.09 руб.ПМР