Renesas Technology Corp

Сравнение товаров (0)

Сортировка:

Показать:

Новинка

RJH60F5DPQ

Транзистор, IGBT, High speed power switching Silicon with diode, 600V 40A Тип корпуса: TO-247AC(SOT4..

82.57 руб.ПМР

Новинка

RJH60F7DPQ

Транзистор, IGBT, High speed power switching Silicon with diode, 600V 40A Тип корпуса: TO-247AC(SOT..

99.00 руб.ПМР

Новинка

RJK0353DPA smd ( K0353 )

Транзистор, N-channel, SMD, Power MOS FET,High Speed Power Switching, 30V 35A 3W Тип корпуса: P-TDSO..

99.00 руб.ПМР

Новинка

RJK0822 ( STP75NF75 )

Транзистор, N-channel, Power MOS FET, 80V 80A 100W 7,9 m? Тип корпуса: TO-220AB..

39.60 руб.ПМР

Новинка

RJK2017DPP ( RJK2017 )

Транзистор, N-channel, Power MOS FET, 200V 45A 30W 0,036 Om Тип корпуса: TO-220F..

39.60 руб.ПМР

Новинка

RJP3047

Транзистор, IGBT, High speed power switching Silicon 330V 50A Тип корпуса: TO-3P(N)..

60.59 руб.ПМР

Новинка

RJP30E2DPP

Транзистор, IGBT, High Speed Power Switching, 360V 35A Тип корпуса: TO-220F..

39.60 руб.ПМР

Новинка

RJP30E4DPE smd ( RJP30E4 )

Транзистор, IGBT, SMD, High Speed Power Switching, 360V 35A Тип корпуса: TO-263(D2Pak)_..

49.50 руб.ПМР

Новинка

RJP30H1DPD smd

Транзистор, IGBT, SMD, High Speed Power Switching, 360V 30A Тип корпуса: TO-252(DPak)_..

39.60 руб.ПМР

Новинка

RJP30H2A smd

Транзистор, IGBT, SMD, High Speed Power Switching, 360V 35A Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..

27.52 руб.ПМР

Новинка

RJP30Y2A

Транзистор, IGBT, SMD, High Speed Power Switching, 360V 35A Тип корпуса: TO-220F..

99.00 руб.ПМР

Новинка

RJP4003ASA smd ( P4003 )

Транзистор, IGBT, SMD, for Strobe Flash, 400V 150A Тип корпуса: MSOP8(TSSOP-8)..

99.00 руб.ПМР

Новинка

RJP4007ANS smd ( P4007 )

Транзистор, IGBT, SMD, for Strobe Flash, 400V 150A Canon A1200 Тип корпуса: VSON8..

99.00 руб.ПМР

Новинка

RJP4584

Транзистор, IGBT, High Speed Power Switching, 450V 35A Тип корпуса: TO-220F..

99.00 руб.ПМР

Новинка

RJP63F3A

Транзистор, IGBT, High Speed Power Switching, 630V 40A Тип корпуса: TO-220F..

99.00 руб.ПМР

Новинка

RJP63K2DPE smd

Транзистор, IGBT, SMD, High Speed Power Switching, 630V 40A Тип корпуса: TO-263(D2Pak)..

27.52 руб.ПМР

Новинка

RJP63K2DPK

Транзистор, IGBT, High Speed Power Switching, 630V 35A Тип корпуса: TO-3P(N)..

159.59 руб.ПМР

Новинка

RJP63K2DPP

Транзистор, IGBT, High Speed Power Switching, 630V 35A Тип корпуса: TO-220F..

49.50 руб.ПМР

Новинка

RQA0009SXAQS smd ( SX5 )

Транзистор, N-channel FET, SMD, V-MOS, 16V 3,2A 15W 520MHz Тип корпуса: SOT89(SC-62)..

99.00 руб.ПМР

Новинка

uPD78F0513GA(T)-8EU-A smd ( D78F0513GA(T)-8EU-A )

Тип корпуса: LQFP48 7x7mm..

198.00 руб.ПМР

Показано с 41 по 60 из 61 (всего 4 страниц)