Транзисторы полевые и IGBT
AON6411A smd ( 6411 )
Транзистор, P-channel, SMD, MOSFET -20V -85A Тип корпуса: DFN 5x6 (PRPAK 5x6)_..
39.60 руб.ПМР
AON6414A smd ( 6414A )
Транзистор, N-channel, SMD, MOSFET 30V 30A Тип корпуса: DFN 5x6 (PRPAK 5x6)_..
60.59 руб.ПМР
AON6418 smd ( 6418 )
Транзистор, N-channel, SMD, MOSFET 30V 36A Тип корпуса: DFN 5x6 (PRPAK 5x6)_..
49.50 руб.ПМР
AON6424 smd ( 6424 )
Транзистор, N-channel, SMD, MOSFET 30V 41A Тип корпуса: DFN 5x6 (PRPAK 5x6)_..
82.57 руб.ПМР
AON6512 smd ( 6512 )
Транзистор, N-channel, SMD, MOSFET 30V 150A Тип корпуса: DFN 5x6 (PRPAK 5x6)_..
39.60 руб.ПМР
AON6912A smd ( 6912A )
Транзисторная сборка, N/N-channel, SMD, MOSFET 30V 34A / 30V 52A Тип корпуса: DFN 5x6 (PRPAK 5x6)_..
82.57 руб.ПМР
AON6992 smd ( 6992 )
Транзисторная сборка, N/N-channel, SMD, MOSFET 30V 50A / 30V 85A Тип корпуса: DFN 5x6 (PRPAK 5x6)_..
99.00 руб.ПМР
AON7230 smd ( 7230 )
Транзистор, N-channel, SMD, Trench Power MV MOSFET technologyy 100V 47A Тип корпуса: DFN 3x3-8PP..
60.59 руб.ПМР
AON7403 smd ( 7403 )
Транзистор, P-channel, SMD, MOSFET -30V -29A Тип корпуса: DFN 3x3-8PP..
49.50 руб.ПМР
AOP605 ( P605 )
Транзисторная сборка, N/P-channel FET, V-MOS, 30V 7,5A / -30V -6,6A 2,5W Тип корпуса: DIP8-300..
39.60 руб.ПМР
AOP605L smd ( P605 )
Транзисторная сборка, N/P-channel FET, SMD, V-MOS, 30V 7,5A / -30V -6,6A 2,5W Тип корпуса: SO8-150..
39.60 руб.ПМР
AOP607 ( P607 )
Транзисторная сборка, N/P-channel FET, SMD, V-MOS, 60V 4,7A / -60V -3,4A 2,5W Тип корпуса: DIP8-300..
39.60 руб.ПМР
AOP607L smd ( P607 )
Транзисторная сборка, N/P-channel FET, SMD, V-MOS, 60V 4,7A / -60V -3,4A 2,5W Тип корпуса: SO8-150..
39.60 руб.ПМР
AP2761I-A ( 2761I )
Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 650V 10A 37W Тип корпуса: TO-220F..
33.07 руб.ПМР
AP2763I-A ( 2763I )
Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 750V 8A 37W Тип корпуса: TO-220F..
82.57 руб.ПМР
AP40P03GI ( 40P03GI )
Транзистор, P-channel FET, V-MOS, -30V 30A Тип корпуса: TO-220F..
33.66 руб.ПМР
AP4501GSD ( 4501GSD )
Транзисторная сборка, N/P-channel FET,V-MOS, 35V 7A / -30V -5A 2W Тип корпуса: DIP8-300..
27.52 руб.ПМР
AP4506GEH smd ( 4506GEH )
Транзисторная сборка, N/P-channel FET, SMD, V-MOS, 30V 9A / -30V -8A 3,1W Тип корпуса: TO-252-4(DPak..
39.60 руб.ПМР