Транзисторы полевые и IGBT
HUF75344P3 ( 75344P )
Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 55V 75A 62W 0,008 Om Тип корпуса: TO-220AB..
82.57 руб.ПМР
HUF75542P ( 75542P )
Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 80V 75A 230W 0,014 Om Тип корпуса: TO-220AB..
82.57 руб.ПМР
HUF75639G3 ( 75639G )
Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..
165.13 руб.ПМР
HUF75639P3 ( 75639P )
Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-220AB..
165.13 руб.ПМР
HUF75639S3 smd ( 75639S )
Транзистор, N-channel, SMD, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-263(D2Pak..
121.18 руб.ПМР
HUF76443P3 ( 76443P )
Транзистор, N-channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET, 60V 75A 260W 0,0095 Om Тип корпуса: TO-220..
60.59 руб.ПМР
HUF76633S3S smd ( 76633S )
Транзистор, N-channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET, 100V 38A 145W 0,0036 Om Тип корпуса: TO-26..
49.50 руб.ПМР
HY10P10D smd
Транзистор, P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -100V -10A RDS(ON)= 187m?(typ.) VGS= -10VRDS(ON)= 20..
39.60 руб.ПМР
HY3606P
Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 60V 162A 226W 3.5 m? Тип корпуса: TO-220AB..
49.50 руб.ПМР
HY4903 smd
Транзистор, N-channel FET,Enhancement Mode MOSFET. RDS(ON)=1.6m? (typ.) VGS = 10V Тип корпуса: TO-..
49.50 руб.ПМР
HYG013N03LS1C2 smd ( G013N03 )
Транзистор, Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 30V 150A 65W Тип корпуса: PRPAK5X6..
55.04 руб.ПМР
HYG080N10LS1C2 smd ( HYG080N10 )
Транзистор, Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V 65A 71W Тип корпуса: PRPAK5X6..
55.04 руб.ПМР
IAUA180N04S5N012 ( 5N04N012 )
Транзистор, N-Channel Automotive MOSFET OptiMOS™ 5 Power-Transistor Features, 40V 180A 1mOhm Тип ко..
110.09 руб.ПМР
IHW20N120R2 ( H20R1202 )
Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 20A Тип корпуса: TO-247A..
82.57 руб.ПМР
IHW20N120R3 ( H20R1203 )
Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 20A Тип корпуса: TO-247A..
99.00 руб.ПМР
IHW20N135R3 ( H20R1353 )
Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1350V 20A Тип корпуса: TO-3P(N..
121.18 руб.ПМР
IHW20N135R5 ( H20PR5 )
Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1350V 20A Тип корпуса: TO-247A..
110.09 руб.ПМР
IHW30N120R2 ( H30R1202 )
Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 30A Тип корпуса: TO-247A..
121.18 руб.ПМР







