Транзисторы полевые и IGBT

Новинка
HUF75344P3  ( 75344P )

HUF75344P3 ( 75344P )

Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 55V 75A 62W 0,008 Om Тип корпуса: TO-220AB..

82.57 руб.ПМР

Новинка
HUF75542P  ( 75542P )

HUF75542P ( 75542P )

Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 80V 75A 230W 0,014 Om Тип корпуса: TO-220AB..

82.57 руб.ПМР

Новинка
HUF75639G3  ( 75639G )

HUF75639G3 ( 75639G )

Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..

165.13 руб.ПМР

Новинка
HUF75639P3  ( 75639P )

HUF75639P3 ( 75639P )

Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-220AB..

165.13 руб.ПМР

Новинка
HUF75639S3  smd  ( 75639S )

HUF75639S3 smd ( 75639S )

Транзистор, N-channel, SMD, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-263(D2Pak..

121.18 руб.ПМР

Новинка
HUF76443P3  ( 76443P )

HUF76443P3 ( 76443P )

Транзистор, N-channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET, 60V 75A 260W 0,0095 Om Тип корпуса: TO-220..

60.59 руб.ПМР

Новинка
HUF76633S3S  smd  ( 76633S )

HUF76633S3S smd ( 76633S )

Транзистор, N-channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET, 100V 38A 145W 0,0036 Om Тип корпуса: TO-26..

49.50 руб.ПМР

Новинка
HY10P10D  smd

HY10P10D smd

Транзистор, P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -100V -10A RDS(ON)= 187m?(typ.) VGS= -10VRDS(ON)= 20..

39.60 руб.ПМР

Новинка
HY1707

HY1707

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 75V 80A 226W 70 m? Тип корпуса: TO-220AB..

33.07 руб.ПМР

Новинка
HY3208P

HY3208P

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 80V 120A 226W 70 m?..

49.50 руб.ПМР

Новинка
HY3606P

HY3606P

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 60V 162A 226W 3.5 m? Тип корпуса: TO-220AB..

49.50 руб.ПМР

Новинка
HY4903  smd

HY4903 smd

Транзистор, N-channel FET,Enhancement Mode MOSFET. RDS(ON)=1.6m? (typ.) VGS = 10V Тип корпуса: TO-..

49.50 руб.ПМР

Новинка
HYG013N03LS1C2  smd  ( G013N03 )

HYG013N03LS1C2 smd ( G013N03 )

Транзистор, Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 30V 150A 65W Тип корпуса: PRPAK5X6..

55.04 руб.ПМР

Новинка
HYG080N10LS1C2  smd  ( HYG080N10 )

HYG080N10LS1C2 smd ( HYG080N10 )

Транзистор, Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V 65A 71W Тип корпуса: PRPAK5X6..

55.04 руб.ПМР

Новинка
IAUA180N04S5N012  ( 5N04N012 )

IAUA180N04S5N012 ( 5N04N012 )

Транзистор, N-Channel Automotive MOSFET OptiMOS™ 5 Power-Transistor Features, 40V 180A 1mOhm Тип ко..

110.09 руб.ПМР

Новинка
IHW20N120R2  ( H20R1202 )

IHW20N120R2 ( H20R1202 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 20A Тип корпуса: TO-247A..

82.57 руб.ПМР

Новинка
IHW20N120R3  ( H20R1203 )

IHW20N120R3 ( H20R1203 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 20A Тип корпуса: TO-247A..

99.00 руб.ПМР

Новинка
IHW20N135R3  ( H20R1353 )

IHW20N135R3 ( H20R1353 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1350V 20A Тип корпуса: TO-3P(N..

121.18 руб.ПМР

Новинка
IHW20N135R5  ( H20PR5 )

IHW20N135R5 ( H20PR5 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1350V 20A Тип корпуса: TO-247A..

110.09 руб.ПМР

Новинка
IHW30N120R2  ( H30R1202 )

IHW30N120R2 ( H30R1202 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 30A Тип корпуса: TO-247A..

121.18 руб.ПМР

Показано с 641 по 660 из 1552 (всего 78 страниц)