Транзисторы полевые и IGBT
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
22.18 руб.ПМР
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-..
19.80 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TR2..
11.09 руб.ПМР
Новинка

N-канальный с двумя изолированными затворами Тип корпуса: TO-50..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Тип корпуса: TO-18..
11.09 руб.ПМР
Новинка

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 240V 1A Тип корпуса: TO-92(SC43)..
11.09 руб.ПМР
Показано с 1521 по 1540 из 1552 (всего 78 страниц)