Транзисторы

Выберите подкатегорию

Сравнение товаров (0)

Сортировка:

Показать:

HUF75639G3 ( 75639G )

Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-247AC(SOT429)..

165.13 руб.ПМР

HUF75639P3 ( 75639P )

Транзистор, N-channel, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-220AB..

165.13 руб.ПМР

HUF75639S3 smd ( 75639S )

Транзистор, N-channel, SMD, UltraFET Power MOSFETs, 100V 56A 200W 0,025 Om Тип корпуса: TO-263(D2Pak..

121.18 руб.ПМР

HUF76443P3 ( 76443P )

Транзистор, N-channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET, 60V 75A 260W 0,0095 Om Тип корпуса: TO-220..

60.59 руб.ПМР

HUF76633S3S smd ( 76633S )

Транзистор, N-channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET, 100V 38A 145W 0,0036 Om Тип корпуса: TO-26..

49.50 руб.ПМР

HY10P10D smd

Транзистор, P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -100V -10A RDS(ON)= 187m?(typ.) VGS= -10VRDS(ON)= 20..

39.60 руб.ПМР

HY1707

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 75V 80A 226W 70 m? Тип корпуса: TO-220AB..

33.07 руб.ПМР

HY3208P

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 80V 120A 226W 70 m?..

49.50 руб.ПМР

HY3606P

Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 60V 162A 226W 3.5 m? Тип корпуса: TO-220AB..

49.50 руб.ПМР

HY4903 smd

Транзистор, N-channel FET,Enhancement Mode MOSFET. RDS(ON)=1.6m? (typ.) VGS = 10V Тип корпуса: TO-..

49.50 руб.ПМР

HYG013N03LS1C2 smd ( G013N03 )

Транзистор, Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 30V 150A 65W Тип корпуса: PRPAK5X6..

55.04 руб.ПМР

HYG080N10LS1C2 smd ( HYG080N10 )

Транзистор, Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V 65A 71W Тип корпуса: PRPAK5X6..

55.04 руб.ПМР

IAUA180N04S5N012 ( 5N04N012 )

Транзистор, N-Channel Automotive MOSFET OptiMOS™ 5 Power-Transistor Features, 40V 180A 1mOhm Тип ко..

110.09 руб.ПМР

IGCM04G60HA

Модуль управления 600V 4A Драйвер двигателя стиральной машины Samsung..

693.00 руб.ПМР

IGCM15F60GA

Модуль управления 600V 15A Драйвер двигателя стиральной машины Samsung..

693.00 руб.ПМР

IGCM20F60GA

Модуль управления 600V 20A Драйвер двигателя стиральной машины Samsung..

693.00 руб.ПМР

IHW20N120R2 ( H20R1202 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 20A Тип корпуса: TO-247A..

82.57 руб.ПМР

IHW20N120R3 ( H20R1203 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1200V 20A Тип корпуса: TO-247A..

99.00 руб.ПМР

IHW20N135R3 ( H20R1353 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1350V 20A Тип корпуса: TO-3P(N..

121.18 руб.ПМР

IHW20N135R5 ( H20PR5 )

Транзистор, IGBT, Reverse ConductingI GBT with monolithic body diode, 1350V 20A Тип корпуса: TO-247A..

110.09 руб.ПМР

Показано с 1841 по 1860 из 3271 (всего 164 страниц)