Состоит из излучающего диода и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Технические параметры:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 200 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт Тип корпуса: OP1
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Технические параметры:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 200 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт Тип корпуса: OP1

