Состоит из излучающего диода и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Технические параметры:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 2 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 2 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В Тип корпуса: АОУ103
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Технические параметры:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 2 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 2 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В Тип корпуса: АОУ103

