-
Новинка
Транзистор, N-channel FET, V-MOS, High-Speed Switching, 900V 10A 35W Тип корпуса: TO-3P(N)
FS10SM-18A
- Производитель: Mitsubishi Electric Semiconductor ( MIT )
- Код товара: 27781
- Наличие: Есть в наличии
-
55.04 руб.ПМР