-
Новинка
Транзистор, N-channel FET with diode, V-MOS, 160V 7A 100W
Расположение выводов G D S Тип корпуса: TO-3P(N)
Расположение выводов G D S Тип корпуса: TO-3P(N)
2SK1058 ( K1058 ) GDS
- Производитель: Hitachi Semiconductor
- Код товара: 10830
- Наличие: Есть в наличии
-
110.09 руб.ПМР