Транзисторы полевые и IGBT
14CL40 smd
Транзистор, IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps 400V 14A Тип корпуса: TO-263(D2..
99.00 руб.ПМР
2N0607 smd
Транзистор, N-Channel, SMD, TrenchFET power MOSFET, 60V 100A 220W 0.12? Тип корпуса: TO-263..
60.59 руб.ПМР
2N5457 ( 5457 )
Транзистор, N-Channel JFET General Purpose Amplifier/Switch, 25V, Idss>1mA Up..
22.18 руб.ПМР
2N5458 ( 5458 )
Транзистор, N-Channel JFET General Purpose Amplifier/Switch, 25V Idss>2mA, Up..
22.18 руб.ПМР
2N7000BU ( 7000 )
Транзистор, N-channel FET, V-MOS, 600V 0,2A 3W 1,2 Om Тип корпуса: TO-92(SC43)..
5.54 руб.ПМР
2N7002 smd ( 72K 70.4 7002 702 12W )
Транзистор, N-channel, STripFET Power MOSFET, SMD, 60V 0,2A 0,35 Om Тип корпуса: SOT23-3..
5.54 руб.ПМР
2N7002BKS.115 ( ZTt )
Транзисторная сборка, N/N-channel, SMD, MOSFET 60V 0,3A / 60V 0,3A Тип корпуса: SOT363..
7.72 руб.ПМР
2SJ103 ( J103 )
Транзистор, P-channel, Uni, -50V -1,2mA 270 Om Тип корпуса: TO-92(SC43)..
16.63 руб.ПМР
2SJ162 ( J162 )
Транзистор, P-channel FET w. diode, V-MOS, -160V -7A 100W Тип корпуса: TO-3P(N)..
110.09 руб.ПМР
2SJ176 ( J176 )
Транзистор, P-channel FET w. diode, V-MOS, LogL, -60V -15A 30W 0,13 Om Тип корпуса: TO-220F..
16.63 руб.ПМР
2SJ200 ( J200 )
Транзистор, P-channel FET, V-MOS, -180V -10A 120W Тип корпуса: TO-3P(N)..
159.59 руб.ПМР
2SJ201
Транзистор, P-channel FET, V-MOS, -200V -12A 150W Тип корпуса: 2-21F1A(TO-264)_..
198.00 руб.ПМР
2SJ204 smd ( H15 )
Транзистор, P-channel w. diode, SMD, V-MOS, S, -30V -0,2A 8 Om Тип корпуса: SOT23-3..
11.09 руб.ПМР
2SJ306 ( J306 )
Транзистор, P-channel w. diode, V-MOS, S, -250V -3A 25W 2 Om Тип корпуса: TO-220F..
22.18 руб.ПМР
2SJ307 ( J307 )
Транзистор, P-channel w. diode, V-MOS, S, -250V -6A 30W 0,75 Om Тип корпуса: TO-220F..
29.70 руб.ПМР
2SJ308 ( J308 )
Транзистор, P-channel w. diode, V-MOS, S, -250V -9A 40W 0,48 Om Тип корпуса: TO-220F..
52.87 руб.ПМР
2SJ352 ( J352 )
Транзистор, Silicon P-Channel MOS FET, -200V -8A 100W Тип корпуса: TO-3P(N)..
110.09 руб.ПМР